حافظة اصلي را به اين دليل حافظه با دستيابي اتفاقي مي‌نامند (Random Access Memory) كه زمان دستيابي به هر مكان حافظه‌اش براي خواندن يا نوشتن، مقدار ثابتي است و اين زمان دستيابي به هر مكان حافظه‌اش براي خواندن يا نوشتن، مقدار ثابتي است و اين زمان مستقل از آدرس آن محل مي‌باشد. در مقابل اين نوع حافظه با دسترسي ترتيبي وجود دارد. يعني بدون گذشتن از قسمتهاي اوليه، نمي‌توان به داده‌هاي موجود در وسط، دسترسي پيدا كرد. 

فناوري RAM به 2 دسته اصلي تقسيم مي‌شود، ديناميك و استاتيك. البته خود RAMهاي ديناميك و استاتيك داراي انواع مختلفي هستند كه در اين مقاله مورد بررسي قرار مي‌گيرند. 

ظرفيت تراشه‌هاي RAM طبق قانون مور رشد كرده است: هر 3 سال، 4برابر شده است. با آنكه ظرفيت حافظه رشد كرده است، مسيري كه داده‌ها از تخته مدار مادر به خود تراشه طي مي‌كنند به همان اندازه رشد نكرده است. اين امر را به يك بطري مي‌توان تشبيه كرد كه پيوسته رشد مي‌كند اما اندازة گلوگاه آن تغييري نمي‌كند. سرانجام كار به جايي مي‌رسد كه خالي كردن بطري دشوار مي‌شود. از آنجا كه اين گفته به معني ساختن تراشه‌هايي با صدها پايه است. كه بالطبع اندازة كلي تراشه را بيشتر مي‌كند و فضاي بيشتري از تخته مدار مادر را مي‌گيرد. بنابراين اگر از تشابه بطري استفاده كنيم، پاسخ يافتن روشهايي براي بيرون راندن سريع و مؤثر محتويات بطري را از طريق گلوگاه باريك است. و اين همان كاري بوده است كه سازندگان حافظه در تكامل حافظه از يك نوع به نوع ديگر انجام داده‌اند. 

تكنولوژي پايه براي ساخت حافظة اصلي، استفاده از مدارات مجتمع شده از ادوات نيمه هادي مي‌باشد. در حال حاضر تمام طرح‌هاي جديد در پايه تكنولوژي NMOS مي‌باشند. 

 

RAM ديناميك

يك RAM ديناميكي (DRAM) با سلول‌هايي كه داده را به صورت بار در خازن ذخيره مي‌كند ساخته مي‌شود. حضور يا غياب بار در خازن به عنوان يك 1 يا 0 دودويي تفسير مي‌گردد. چون خازن‌ها تمايلي طبيعي به دشارژ شدن دارند، RAMهاي ديناميكي نياز به تازه سازي بار دوره‌اي براي حفظ داده ذخيره شده دارند. كلمه ديناميك به تمايل بار ذخيره شده به نشتي اشاره دارد.نوعي ساختار DRAM براي DRAM تك سلولي است كه يك بيت را ذخيره مي‌كند. خط آدرس وقتي كه سلول قرار است خوانده و يا نوشته شود فعال مي‌گردد. ترانزيستور همچون يك سوئيچ كه بسته است عمل مي‌كند و اجازه عبور جريان را مي‌دهد به شرطي كه يك ولتاژ به خط آدرس اعمال گردد ولي اگر ولتاژي به آن اعمال نشود سوئيچ باز بوده و جرياني نخواهد بود.

در عمل نوشتن يك سيگنال ولتاژ به خط بيت اعمال مي‌گردد. ولتاژ بالا نمايشگر 1 و ولتاژ پايين بيانگر 0 است. آن گاه سيگنالي به خط آدرس اعمال شده و اجازه مي‌دهد كه بار به خازن انتقال يابد. در عمل خواندن، وقتي كه آدرس انتخاب شود ترانزيستور روشن و بار ذخيره شده در خازن خارج شده و به خط بيت وارد مي‌گردد تا به تقويت كننده حس‌گر برسد. تقويت كننده حس‌گر ولتاژ خازن را با مقدار مرجع مقايسه كرده و مشخص مي‌كند كه حاوي منطق 1 است يا 0 .عمل خواندن خازن را تخليه مي‌كند و لذا بايد بازسازي شود تا عمل تكميل گردد. 

گرچه سلول DRAM براي ذخيره يك بيت (0 يا 1) به كار مي‌رود، ولي اساساً يك وسيله آنالوگ است. خازن مي‌تواند هر مقدار شارژ را در يك محدوده ذخيره كند و مقدار آستانه‌اي، بار را به عنوان 1 يا 0 تفسير خواهد كرد.